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氨氣反轉爐

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應用介紹:
主要應用于化合物半導體,金屬電極,互聯線是用金屬剝離工藝,使光刻膠呈現倒梯形形貌,正常采用負膠工藝實現,因負膠有一定工藝難度和局部缺陷,例如分辨率不高,線寬均一性不好,倒梯形角度不穩定等因素。行業內大多采用氨氣條件反轉工藝,使用酚醛樹脂基的正膠,正膠曝光后會產生羧酸,氨氣中和酸,再進行一次全面曝光,顯影后就可以形成倒梯形形貌,同時又保留正膠的分辨率和線寬穩定性。
產品詳情

技術參數: 

型號

NH3D4

內膽尺寸

450*450*450mm;                                       

真空度

150Pa;采用真空泵;

加熱方式

腔體外側四周加熱;

 溫度

RT+10℃~ 200℃;微電腦溫度控制器,控溫精確可靠;

控溫精度

±2%℃(150℃內);

氨氣反轉工藝

升溫達到設定值-抽真空-達到設定值-充氨氣-取產品-取后曝光機反面曝光。

主要特點

箱門閉合松緊能調節,整體成型的硅橡膠門封圈,確保箱內高真空度。工作室采用不銹鋼板制成,電解拋光,確保產品經久耐用。


氨氣反轉爐

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應用介紹:
主要應用于化合物半導體,金屬電極,互聯線是用金屬剝離工藝,使光刻膠呈現倒梯形形貌,正常采用負膠工藝實現,因負膠有一定工藝難度和局部缺陷,例如分辨率不高,線寬均一性不好,倒梯形角度不穩定等因素。行業內大多采用氨氣條件反轉工藝,使用酚醛樹脂基的正膠,正膠曝光后會產生羧酸,氨氣中和酸,再進行一次全面曝光,顯影后就可以形成倒梯形形貌,同時又保留正膠的分辨率和線寬穩定性。
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技術參數: 

型號

NH3D4

內膽尺寸

450*450*450mm;                                       

真空度

150Pa;采用真空泵;

加熱方式

腔體外側四周加熱;

 溫度

RT+10℃~ 200℃;微電腦溫度控制器,控溫精確可靠;

控溫精度

±2%℃(150℃內);

氨氣反轉工藝

升溫達到設定值-抽真空-達到設定值-充氨氣-取產品-取后曝光機反面曝光。

主要特點

箱門閉合松緊能調節,整體成型的硅橡膠門封圈,確保箱內高真空度。工作室采用不銹鋼板制成,電解拋光,確保產品經久耐用。


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